Компоненты:
новые флеш игры.

Электронные компоненты и устройства - Рынок электроники

GaN-на-SiC транзисторы TriQuint TGF3020-SM

Родительская категория: Рынок Категория: Компоненты и устройства

Шаблоны Joomla здесь.

TriQuint Semiconductor представила новые мощные дискретные транзисторы TGF3020-SM с согласованным входом, изготовленные по технологии GaN-на-SiC.

 

Основные характеристики TriQuint TGF3020-SM

    • Частотный диапазон: 4 - 6 ГГц
    • Выходная мощность (P3дБ): 6.8Вт на 5 ГГц
    • Линейное усиление: 12.7 дБ тип. на 5 ГГц
    • Тип. PAE3дБ: 59.6% на 5 ГГц
    • Рабочее напряжение: 32В
    • Корпус с малым температурным сопротивлением
    • Компактный корпус PQFN 3 x 3 мм
  •  

 

The TriQuint TGF3020-SM is a 5W (P3dB), 50 ohm-input matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from 4.0 to 6.0 GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance, while the output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

The device is housed in an industry-standard 3 x 3 mm surface mount QFN package.

Lead-free and ROHS compliant.

Evaluation boards are available upon request.

Specifications

Frequency (GHz) 4 to 6
Linear Gain (dB) 12.7
P1dB (dBm)  
Psat (dBm) 38.3
NF (dB)  
PAE (%) 59.6 @ 5GHz
Voltage (V) 32
Current (mA) 25
Package Style PQFN
RoHS Yes
Lead Free Yes
Halogen Free Yes

 

лимузин на свадьбу.
Компания Сансити

ipad-disassembled

Календарь событий электроники

Новости гаджетов

Последние новости