Компоненты:
новые флеш игры.

Производство и технологический процесс - Индустрия электроники

Numonyx удалось создать новый вид PCM-памяти

Родительская категория: Индустрия Категория: Производство

Шаблоны Joomla здесь.

numonyxIntel и ее дочерняя компания Numonyx сообщили о значительном достижении в создании Phase Change Memory (PCM) – памяти с изменением фазового состояния, нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле.

В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S).

Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря данному нововведению стало возможным создание многослойной памяти.

Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи.

Более подробную информацию компании намерены представить в совместном докладе представленном на International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе (Мэриленд) 9 декабря.

Память с изменением фазового состояния (так же известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM и C-RAM) - это тип энергонезависимой памяти. Такая память использует уникальные свойства халькогенного стекла, которое может находится в двух разных состояниях - кристаллическом и аморфном. Такое стекло переходит между этими двумя состояниями при нагревании. В некоторых разработках количество состояний, в которых может находится стекло, больше, что увеличивает ёмкость памяти.

PRAM - одна из новых технологий энергонезависимой памяти, которые пытаются конкурировать с практически универсальной флеш-памятью

Элтайм.ру, по материалам Сybersecurity

лимузин на свадьбу.
Компания Сансити

ipad-disassembled

Читайте также:

Календарь событий электроники

с/х ветеринария http://handcent.ru/

ТОП-20 новостей индустрии

Новости гаджетов

Последние новости

  • 24-26 октября в Мск — выставка Power Electronics
    24-26 октября в Москве пройдет единственная в России специализированная выставка компонентов и систем силовой электроники. В выставке примут участие ведущие российские...
  • Преобразователи XP Power GSP750
     Компания XP Power представила АС-DC преобразователи мощности GSP750, имеющие высокую эффективность преобразования. Их отличает от аналогов малый размер.
  • Конкурс лучших разработок силовой электроники
    24-26 октября в Москве, в МВЦ “Крокус Экспо» пройдет 14-я Международная выставка «Силовая Электроника». В рамках выставки третий раз пройдет Всероссийский Конкурс «Лучшие...
  • Открыта регистрация на выставку «Силовая Электроника» 2017
    Открыта электронная регистрация посетителей на 14-ю Международную выставку «Силовая Электроника». Выставка состоится 24-26 октября 2017 года в Москве, в МВЦ «Крокус...
  • «ЭлектронТехЭкспо» 2018
    17—19 апреля 2018 года в Москве, в МВЦ «Крокус Экспо» пройдет 16-я Международная выставка «ЭлектронТехЭкспо» — единственная в России выставка технологий, оборудования...